電子行業公用超純水裝備利用范疇
電(dian)子制(zhi)作應存(cun)眷(juan)超純(chun)(chun)水(shui)(shui)(shui)水(shui)(shui)(shui)質(zhi)，在(zai)(zai)(zai)大(da)范圍IC的(de)超純(chun)(chun)水(shui)(shui)(shui)水(shui)(shui)(shui)質(zhi)中(zhong)(zhong)，優先存(cun)眷(juan)的(de)水(shui)(shui)(shui)質(zhi)目標為：電(dian)阻(zu)率(lv)、微(wei)粒(li)(li)(li)、TOC(總無機硅)、硅、堿(jian)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)、堿(jian)土金(jin)(jin)屬(shu)(shu)、重金(jin)(jin)屬(shu)(shu)、消融氧、在(zai)(zai)(zai)超純(chun)(chun)水(shui)(shui)(shui)中(zhong)(zhong)，細(xi)菌的(de)影(ying)響(xiang)與TOC、微(wei)粒(li)(li)(li)根基不(bu)異，在(zai)(zai)(zai)IC光刻工(gong)序的(de)洗濯用(yong)水(shui)(shui)(shui)中(zhong)(zhong)假設含(han)有不(bu)純(chun)(chun)物(wu)資或(huo)微(wei)粒(li)(li)(li)，將致使柵(zha)氧化膜厚度(du)不(bu)均，產(chan)物(wu)圖形產(chan)生缺(que)點，耐壓性變差(cha)，超純(chun)(chun)水(shui)(shui)(shui)中(zhong)(zhong)的(de)微(wei)量(liang)無機物(wu)會使產(chan)物(wu)結晶不(bu)良，在(zai)(zai)(zai)IC芯片制(zhi)作進程中(zhong)(zhong)，與硅片打仗的(de)水(shui)(shui)(shui)所含(han)離子越(yue)多，對產(chan)物(wu)良率(lv)影(ying)響(xiang)就越(yue)大(da)。電(dian)阻(zu)率(lv)反應了超純(chun)(chun)水(shui)(shui)(shui)中(zhong)(zhong)離子的(de)含(han)量(liang)，超純(chun)(chun)水(shui)(shui)(shui)的(de)電(dian)阻(zu)率(lv)越(yue)高，其純(chun)(chun)度(du)也就越(yue)高。普通來說(shuo)，在(zai)(zai)(zai)25℃時，實(shi)際純(chun)(chun)水(shui)(shui)(shui)的(de)電(dian)阻(zu)率(lv)是18.25MΩ·cm。
利(li)用范疇：半導體資料、光(guang)電子產(chan)物(wu)、高科技精微產(chan)物(wu)超純水(shui)裝備；
水源(yuan)：市政自來水 水質請求：a、電阻率：≥18.2MΩ/cm
壓力：0.35MPa b、TOC： ＜10mg/L
溫(wen)度(du)：25℃ ; C:Particle：＜0.1μm
PH： 6-8 d:Particle：＜0.2μm
無機物：（TOC）≤0.5 （倡議為零） ; 重(zhong)金屬：（Fe、Mn）≤0.01mg/L
工藝流程(cheng);
原水(shui)(shui)(shui)→預處置→保(bao)安(an)過濾(lv)器→中心水(shui)(shui)(shui)箱(xiang)→一級(ji)高(gao)壓(ya)泵(beng)→一級(ji)RO反滲入(ru)裝配(pei)→一級(ji)RO水(shui)(shui)(shui)箱(xiang)→二級(ji)高(gao)壓(ya)泵(beng)→二級(ji)RO反滲入(ru)裝配(pei)→二級(ji)RO水(shui)(shui)(shui)箱(xiang)→EDI增壓(ya)泵(beng)→EDI(CEDI)電去離子(zi)水(shui)(shui)(shui)體系→氮封水(shui)(shui)(shui)箱(xiang)→核子(zi)級(ji)拋(pao)光混床→終端緊密過濾(lv)器→UV紫(zi)外線(xian)殺(sha)菌→終端用水(shui)(shui)(shui)點。
